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  1. L. Meda; G.F. Cerofolini; G. Ottaviani; R. Tonini; F. Corni; R. Balboni; Mariano Anderle; Roberto Canteri; R. Dierckx,
    Evidence for Molecular Hydrogen in Single Crystal Silicon,
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  2. G. Queirolo; C. Bresolin; D. Robba; Mariano Anderle; Roberto Canteri; A. Armigliato; G. Ottaviani; S. Frabboni,
    Low Temperature Dopant Activation of BF2 Implanted Silicon,
    in «JOURNAL OF ELECTRONIC MATERIALS»,
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  3. R., Fabbri; M., Servidori; S., Solmi; S., Frabboni; G., Ottaviani; Rita, Tonini; Canteri, Roberto,
    in «APPLIED PHYSICS. A, SOLIDS AND SURFACES»,
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  4. Sandro Solmi; F. Baruffaldi; Roberto Canteri,
    Diffusion of Boron in Silicon During Post-Implantation Annealing,
    in «JOURNAL OF APPLIED PHYSICS»,
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  5. R. Angelucci; Sandro Solmi; A. Armigliato; S. Guerri; M. Merli; A. Poggi; Roberto Canteri,
    Boron Ion Implantation through Mo and Mo Silicide Layers for Shallow Junction Formation,
    in «JOURNAL OF APPLIED PHYSICS»,
    vol. 69,
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  6. B. Pivac; A. Borghesi; Roberto Canteri; Mariano Anderle,
    Ambient Gas Induced SiC-like Structures in Edge-Defined Film-Fed Growth Polycrystalline Silicon Samples,
    in «JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE»,
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  7. Sandro Solmi; R. Angelucci; G. Cicognani; Roberto Canteri,
    Diffusion of Boron and Arsenic in Molybdenum Disilicide Films,
    in «APPLIED SURFACE SCIENCE»,
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  8. Benno Margesin; Roberto Canteri; Sandro Solmi; A. Armigliato; F. Baruffaldi,
    Boron and Antimony Codiffusion in Silicon,
    in «JOURNAL OF MATERIALS RESEARCH»,
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  9. Gian Pietro Tecchiolli; Roberto Brunelli,
    On random minimization of functions,
    in «BIOLOGICAL CYBERNETICS»,
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  10. M. Bonelli; L. Calliari; M. Elena; M. A. Ghabashy; L. A. Guzman; A. Miotello; P. M. Ossi,
    Titanium nitride coatings obtained using a new apparatus for ion beam assisted deposition,
    in «SURFACE & COATINGS TECHNOLOGY»,
    vol. 49,
    , pp. 150 -
    154