You are here

Publications

Primary tabs

  1. Fausto Giunchiglia; Paolo Traverso; Luciano Serafini,
    La deduzione automatica,
    in «SISTEMI INTELLIGENTI»,
    vol. 1,
  2. A. Tiziani; A. Molinari; Mariano Anderle; Roberto Canteri,
    Correlation between Microstructural and SIMS Analysis of Cast Irons Inoculated with CG Alloy,
    in «JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE»,
    vol. 25,
    , pp. 1018 -
    1024
  3. R. Nipoti; M. Bianconi; R. Fabbri; M. Servidori; S. Nicoletti; Roberto Canteri,
    Electrical and Structural Characterization of Silicon Layers Directly Doped with Boron by Excimer Laser Irradiation,
    in «APPLIED SURFACE SCIENCE»,
    vol. 43,
    , pp. 321 -
    324
  4. L. Meda; G.F. Cerofolini; G. Ottaviani; R. Tonini; F. Corni; R. Balboni; Mariano Anderle; Roberto Canteri; R. Dierckx,
    Evidence for Molecular Hydrogen in Single Crystal Silicon,
    in «PHYSICA. B, CONDENSED MATTER»,
    vol. 170,
    , pp. 259 -
    264
  5. G. Queirolo; C. Bresolin; D. Robba; Mariano Anderle; Roberto Canteri; A. Armigliato; G. Ottaviani; S. Frabboni,
    Low Temperature Dopant Activation of BF2 Implanted Silicon,
    in «JOURNAL OF ELECTRONIC MATERIALS»,
    vol. 20,
    n. 5,
    , pp. 373 -
    378
  6. R. Fabbri; M. Servidori; S. Solmi; S. Frabboni; G. Ottaviani; Rita Tonini; Roberto Canteri,
    Influence of Implant Dose and Target Temperature on Crystal Quality and Junction Depth of Boron-Doped Silicon Layers,
    in «APPLIED PHYSICS. A, MATERIALS SCIENCE & PROCESSING»,
    vol. 53,
    , pp. 222 -
    226
  7. Sandro Solmi; F. Baruffaldi; Roberto Canteri,
    Diffusion of Boron in Silicon During Post-Implantation Annealing,
    in «JOURNAL OF APPLIED PHYSICS»,
    vol. 69,
    n. 4,
    , pp. 2135 -
    2142
  8. R. Angelucci; Sandro Solmi; A. Armigliato; S. Guerri; M. Merli; A. Poggi; Roberto Canteri,
    Boron Ion Implantation through Mo and Mo Silicide Layers for Shallow Junction Formation,
    in «JOURNAL OF APPLIED PHYSICS»,
    vol. 69,
    n. 7,
    , pp. 3962 -
    3967
  9. B. Pivac; A. Borghesi; Roberto Canteri; Mariano Anderle,
    Ambient Gas Induced SiC-like Structures in Edge-Defined Film-Fed Growth Polycrystalline Silicon Samples,
    in «JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE»,
    vol. 26,
    , pp. 2715 -
    2730
  10. Sandro Solmi; R. Angelucci; G. Cicognani; Roberto Canteri,
    Diffusion of Boron and Arsenic in Molybdenum Disilicide Films,
    in «APPLIED SURFACE SCIENCE»,
    vol. 53,
    , pp. 186 -
    189